CVD-SiC
化學氣相沉積( Chemical Vapor Deposition, CVD)是一種用來生長薄膜且純度高,效能佳的固態材料化學技術。通常用於固態表面上生成具有特定性質和厚度的薄膜,在半導體產業中常使用該技術來成長各種類薄膜。例如: 石墨在高溫與電漿環境使用時,相對上是不穩定的,除了產生顆粒,也容易與氣體反應形成化合物。因此在高階半導體或化合物半導體製程中,是於石墨表面製備立方結構的SiC塗層,SiC膜層具有高耐磨性、耐腐蝕性、化學穩定性和抗氧化性並具有高導熱性,所以該塗層在半導體相關製程應用中備受青睞。